%0 Journal Article
%T Исследование кристаллов AuNi/n-n+-GaN диодов Шоттки методами атомно-силовой микроскопии
%A Торхов, Н.А.
%A Новиков, В..
%K нитрид галлия, барьер Шоттки, омический контакт, работа выхода, поверхность, метод зонда Кельвина АСМ, электрическое поле периферии
%J ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
%D 2019
%N 2
%P 10
%I ФГАОУ ВО «Севастопольский государственный университет»