@article{Ловшенко2019физико-топологическая,
author={Ловшенко, И.. and Стемпицкий, В.. and Шандарович, В..},
title={Физико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излучения},
journal={ИНФОКОММУНИКАЦИОННЫЕ И РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ},
publisher={ФГАОУ ВО «Севастопольский государственный университет»},
year={2019},
pages={466-475},
volume={2},
issue={4},
}