LDR 01184naa#a2200205#i#450#
001     RU\\bibl\52886
005     20240512083015.7
011 ## _a2587-9936
100 ## _a20191225b2019####ek#y0rusy0150####ca
101 0# _aRUS
102 ## _aRU
200 1# _aФизико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излучения
       _eЖурнальная статья
210 1# _aСевастополь
       _cФГАОУ ВО «Севастопольский государственный университет»
       _d2019
215 ## _a9 с.
608 ## _aЖурнальная статья
       _2local
675 ## _aЭлектронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника. 621.382
       _zRUS
700 #1 _aЛовшенко
       _gИван Юрьевич 
700 #1 _aСтемпицкий
       _gВиктор Романович 
700 #1 _aШандарович
       _gВероника Томашевна 
856 4# _aicrtjournal.com
       _u