01184naa#a2200205#i#4500001001500000005001700015011001400032100004100046101000800087102000700095200030700102210013900409215001000548608004500558675018600603700004700789700005900836700006300895856002000958RU\\bibl\5288620240511151622.6##a2587-9936##a20191225b2019####ek#y0rusy0150####ca0#aRUS##aRU1#aФизико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излученияeЖурнальная статья1#aСевастопольcФГАОУ ВО «Севастопольский государственный университет»d2019##a9 с.##aЖурнальная статья2local##aЭлектронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника. 621.382zRUS#1aЛовшенкоgИван Юрьевич #1aСтемпицкийgВиктор Романович #1aШандаровичgВероника Томашевна 4#aicrtjournal.com