01184naa#a2200205#i#450# RU\\bibl\52886 20240512103440.7 2587-9936 20191225b2019####ek#y0rusy0150####ca RUS RU Физико-топологическая модель полевого транзистора, учитывающая деградацию эксплуатационных характеристик при влиянии ионизирующего излучения Журнальная статья Севастополь ФГАОУ ВО «Севастопольский государственный университет» 2019 9 с. Журнальная статья local Электронные элементы, использующие свойства твердого тела. Полупроводниковая электроника. 621.382 RUS Ловшенко Иван Юрьевич Стемпицкий Виктор Романович Шандарович Вероника Томашевна icrtjournal.com