Минск, Беларусь
Рассмотрены релаксационные процессы, проявляющиеся в конденсаторных и транзисторных МОП-структурах, КМОП интегральных микросхемах на их основе, а также биполярных транзисторных структурах, облученных быстрыми электронами с энергией 4 МэВ или гамма-квантами Со60. Релаксация (отжиг) радиационно-индуцированного заряда в SiO2 может происходить за счет туннелирования электронов в окисел из кремния (у n-канальных МОПструктур) или из металла (у р-канальных МОП-структур). Рекомендуется, учитывая релаксационные процессы, для получения адекватных результатов при испытаниях биполярных и МОП-приборов на радиационную стойкость соблюдать одинаковое время, прошедшее после окончания облучения и до проведения контрольных измерений (в пределах каждой партии однотипных образцов).
релаксационные процессы, конденсаторные и транзисторные МОП-структуры, интегральная микросхема, биполярные транзисторные структуры, радиационная стойкость, гамма-излучение, электронное излучение
1. Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск : Наука и техника, 1986. 254 с.
2. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М. : Энергоатомиздат, 1988. 256 с.
3. Ма Т. Р., Dressendorfer P. V. Ionizing Radiation Effects in MOS Devices and Circuits. New York. : John Wiley & Sons, 1989. 587 p.
4. Чумаков А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М.: Радио и связь, 2004. 320 с.
5. Першенков В. С. Дозовые эффекты в изделиях микроэлектроники при воздействии ионизирующих излучений // Радиационная стойкость изделий ЭКБ : Научное издание. М. : НИЯУ МИФИ, 2015. С. 93-130.
6. Зебрев Г. И. Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах высокой степени интеграции. М. : НИЯУ МИФИ, 2010. 149 с.
