Аннотация и ключевые слова
Аннотация (русский):
Представлены конструкция и расчеты основных характеристик ячейки памяти на основе пересекающихся нанопроводов различного поперечного сечения. Функционирование устройства возможно, если поперечные размеры нанопроводов обеспечивают размерное квантование энергии электронов в рабочей области температур. В этом случае области пересечения нанопроводов различного поперечного сечения представляют собой квантовые ямы для электронов. Управляемое приложенным напряжением туннелирование электронов между квантовыми ямами обеспечивает запись информации. Скорость записи может достигать 1 Пбайт/с (1015 байт/с).

Ключевые слова:
память, нанопровод, размерное квантование, полупроводник, квантовый прибор
Текст
Текст произведения (PDF): Читать Скачать
Список литературы

1. Статические характеристики пересекающихся квантовых проводов / И. А. Обухов и др. В сб. : 14-я Междунар. Крымская конф. «СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии» - КрыМиКо’2004 (Севастополь, 13-17 сент. 2004 г.). 2004. С. 507-511.

2. Obukhov I. A. Planar One-Dimensional Quantum Devices // Nanoscience and Nanotechnology. 2013. Vol. 3, no 5. Р. 115-122.

3. Обухов И. А. Моделирование переноса заряда в мезоскопических структурах. Москва - Киев - Минск - Севастополь : «Вебер», 2005. 226 с.

4. Hartman T. E. Tunneling of a Wave Packet. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33, no. 12. P. 3427-3433.


Войти или Создать
* Забыли пароль?