Изготовлен тонкопленочный молекулярный одноэлектронныйтранзисторс молекулойаурофильного производного терпиридина на основе атома Rh. Разработана методика изоляции боковых затворов транзистора, показано, что сопротивление изоляции затвора превышает 1ТОм, что надежно обеспечивает полевой характер воздействия управляющего электрода на остров транзистора. Измерения вольтамперных характеристик изготовленных транзисторов при Т=77,4 К показали, что они обладают блокадными участками 500-800 мВ, что указывает на коррелированный (одноэлектронный) характер транспорта электронов в полученном транзисторе и формирование, учитывая строение используемой молекулы, атомного одноэлектронного транзистора на основе одиночного атома родия.
одноэлектронное туннелирование, молекулы, нанолитография, наноструктуры, нанотранзистор, наноэлектроника, молекулярная электроника
1. Averin D. V. and Likharev K. K. Single-electronics : Correlated transfer of single electrons and Cooper pairs in small tunnel junctions // Mesoscopic Phenomena in Solids, 1991. Т. 30. С. 173.
2. Likharev K. K. Single-electron devices and their applications // Proceedings of the IEEE. 1999. Т. 87, № 4. С. 606.
3. Beloglazkina E. K., Majouga A. G., Manzheliy E. A. et al. Mononuclear ruthenium(II) and rhodium(III) complexes with S-[4-(2,2:6′,2″-terpyridin-4′-yl)phenoxy]butyl ethanethioate and 4′-[4-(1,2-dithiolane-3-yl)butylcarboxy)phenyl]-2,2′:6′,2″-terpyridine : Synthesis, electrochemistry, antibacterial activity and catalytical application // Polyhedron, 2015. Т. 85. С. 800-808.
4. Hu W. et al. Sub-10 nm electron beam lithography using cold development of poly (methylmethacrylate) //J. Vac. Sci. & Tech. B. 2004. V. 22. № 4. P. 1711.
5. Park H. et al. Fabrication of metallic electrodes with nanometer separation by electromigration //Applied Physics Letters. 1999. Т. 75. № 2. С. 301-303.
6. Dagesyan S. A., Stepanov A. S., Soldatov E. S. et al. Properties of Extremely Narrow Gaps Between Electrodes of a Molecular Transistor // Journal of Superconductivity and Novel Magnetism. 2015. Т. 28. С. 787-790.
7. Parshintsev A. A., Shorokhov V. V., Soldatov E. S. Study possibility of building a single-electron transistor based on a molecule with single atom charge center // Bull. Russ. Acad. Sci. Physics. 2017. Т. 81, № 1. С. 38.
