Представлены результаты расчетно-экспериментального определения (прогнозирования) радиационной стойкости двух типов КМОП интегральных микросхем (интерфейсных приемопередатчиков, схем памяти) при воздействии гамма-излучения Со60. Получены аналитические дозовые зависимости параметров тестовых МОП-транзисторов и КМОП больших интегральных схем.
радиационная стойкость, интегральная микросхема, транзистор, гамма-излучение, прогнозирование
1. Першенков В. С., Попов В. Д., Шальнов А. В. Поверхностные радиационные эффекты в элементах интегральных микросхем. М. : Энергоатомиздат, 1988. 256 с.
2. Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Вавилов В. А. Воздействие радиации на интегральные микросхемы. Минск : Наука и техника, 1986. 254 c.
3. Чумаков А. И. Действие космической радиации на интегральные схемы. М. : Радио и связь, 2004. 320 с.
4. Claeys C., Simoen Е. Radiation Effects in Advanced Semiconductor Materials and Devices. Berlin : Springer, 2002. 402 с.
5. Barnaby H. J. Total-Ionizing-Dose Effects in Modern CMOS Technologies // IEEE Trans. Nucl. Science. 2006. Т. 53, № 6. С. 3103-3121.
6. Согоян А. В., Никифоров А. Ю., Чумаков А. И. Подход к прогнозированию радиационной деградации параметров КМОП ИС с учетом сроков и условий эксплуатации // Микроэлектроника. 1999. Т. 28, № 4. С. 263-275.
7. Метод прогнозирования радиационной стойкости КМОП-интегральных схем / Коршунов Ф. П., Богатырев Ю. В., Белоус А. И., Шведов С. В., Ластовский С. Б., Кульгачев В. И. // Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру. 2009. Вып. 1. С. 45-49.
