с 01.01.2021 по настоящее время
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов; Томский государственный университет; Томский университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР)
Севастополь, Севастополь, Россия
С использованием метода зонда Кельвина АСМ экспериментально подтверждено наличие составляющей E* электростатического поля периферии El, оказывающего значительное влияние на электростатическую систему AuNi/n-GaN контактов Шоттки.
нитрид галлия, барьер Шоттки, омический контакт, работа выхода, поверхность, метод зонда Кельвина АСМ, электрическое поле периферии
1. Torkhov N. A., Novikov V. A. The Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Schottky-Barrier Contacts on their Electrical Characteristics // Semiconductors. 2011. T. 45, № 1. C. 69-84.
2. Torkhov N. A. Effect of the Periphery of Metal-Semiconductor Contacts with Schottky Barriers on their Static Current-Voltage Characteristic // Semiconductors. 2010. T. 44, № 5. C. 1-12.
3. Торхов Н. А., Божков В. Г., Ивонин И. В., Новиков В. А. Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности n-GaAs методом атомно-силовой микроскопии // Поверхность. 2009. T. 11. C. 1-10.
4. Торхов Н. А., Божков В. Г., Гущин С. М., Новиков В. А. Оптимизация умножительного диода Шоттки миллиметрового диапазона // 22-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2012. C. 635-636.
5. Торхов Н. А., Новиков В. А., Мармалюк А. А., Рябоштан Ю. Л. Влияние морфологии поверхности на приборные характеристикипланарных InP/GaAs диодов Шоттки миллиметрового диапазона // 22-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2012. C. 633-634.
6. Торхов Н. А., Божков В. Г., Новиков В. А., Ивонин И. В. Исследование электрических полей Ni/GaN контактов металл - полупроводник с барьером Шоттки методами атомно-силовой микроскопии // 25-я Международная Крымская конференция СВЧ-техника и телекоммуникационные технологии. Севастополь, 2015. C. 611-612.
7. Cornelia M., Carolus J., Krämer M. Gallium nitride-based microwave high-power heterostructure field-effect transistors : design, technology, and characterization. Eindhoven : Technische Universiteit Eindhoven. 2006. Proefschrift.
8. Торхов Н. А. Влияние электростатического поля периферии на вентильный фотоэффект в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки // ФТП. 2018. T. 52, № 10. C. 1150.
9. Мамедов Р. К. Контакты металл - полупроводник с электрическим полем пятен. Баку : БГУ, 2003.
10. Торхов Н. А. Влияние фото-ЭДС на токопрохождение в контактах металл - полупроводник с барьером Шоттки // ФТП. 2011. T. 45, № 7.C. 965-973.
11. Торхов Н. А. Поверхностный потенциал контактов металл - полупроводник с барьером Шоттки // Известия ВУЗов. Физика. 2008. Депонировано в ВИНИТИ № 334-В2008 от 18.04.2008.
12. Torkhov N. A., Babak L. I., Kokolov A. A., Salnikov A. S., Dobush I. M., Novikov V. A., Ivonin I. V. Nature of size effects in compact models of field effect transistors // Journal of Applied Physics. 2016. T. 119. C. 094505.
13. Миронов Л. В. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН. 2004.
14. Meyerhof W. E. Contact potential difference in silicon crystal rectifiers // Phys. Rev. 1947. T. 71, № 10. C. 727.
15. Rhoderick E. H., Williams R. H. Metall-semiconductor contacts. 2nd ed. Clarendon. Oxford, 1988.
